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IRF7413TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7413TRPBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

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描述
这款N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装,适用于30V电压下的大电流应用。具备高达8.5A的连续电流处理能力,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,拥有低导通电阻和卓越热性能,是现代电子设备高效能功率控制的理想半导体元件。
商品型号
IRF7413TRPBF-HXY
商品编号
C20606237
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1051克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)816.2pF
反向传输电容(Crss)82.6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)107.8pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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