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IRF7343TRPBF-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6A
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- 描述
- 这款N+P沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，专为双向电压应用设计。额定耐压60V，单通道可承载6A连续电流，适用于高效电源转换、负载切换及电池管理系统，提供卓越的导通性能与低功耗表现，是现代电子设备的理想双极性功率开关器件。
- 商品型号
- IRF7343TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606238
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.5pF |
商品概述
BSC042N03MS G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 90 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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