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IRF7807ZTRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7807ZTRPBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A

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描述
该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装,专为30V电压下的高效率应用设计。具备8.5A连续电流承载能力,特别适用于电源转换、电机驱动和电池管理系统,具有低导通电阻与优良热特性,是现代电子产品中不可或缺的高性能功率开关器件。
商品型号
IRF7807ZTRPBF-HXY
商品编号
C20606234
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.09克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)583pF
反向传输电容(Crss)59pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)77pF

数据手册PDF