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IRFR5505TRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 此款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为60V电压下大电流应用打造。提供高达15A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具有低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现精准功率管理的理想选择。
- 商品型号
- IRFR5505TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606231
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSC097N06NS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 65 A
- RDS(ON) < 11 mΩ（VGS = 10 V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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