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SPD30P06P G-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPD30P06P G-HXY

1个P沟道 耐压:60V 电流:15A

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描述
这款场效应管采用P型设计,适用于高效能应用。其最大承受电流为15A,额定电压高达60V,内阻典型值为70mΩ,栅源极电压VGS为20V。该器件具备出色的性能和稳定性,适合在多种应用场景中发挥关键作用。
商品型号
SPD30P06P G-HXY
商品编号
C20606230
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.3549克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))82mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)9.86nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.447nF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

IRFR3806TRPBF采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 50A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF