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IRFR3709ZTRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 该款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为30V电压下的大电流应用设计。具备高达80A连续电流处理能力，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有卓越的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子设备实现高效功率控制的理想解决方案。
- 商品型号
- IRFR3709ZTRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606226
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3621克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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