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IPD060N03LG-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。额定电压30V，具备高达80A的连续电流处理能力，尤其适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有卓越的导通性能和散热效果，是现代电子设备实现高效功率控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- IPD060N03LG-HXY
- 商品编号
- C20606227
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计
- 潮湿敏感度等级 3 级
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
商品特性
- VDS 100V
- ID 11A
- RDS(ON)（VGS = 10V 时）< 13.5mΩ
- RDS(ON)（VGS = 4.5V 时）< 17mΩ
- 100% 经过 EAS 测试
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器
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