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IRF7455TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 该N沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，专为处理高电流应用而设计。额定电压30V，可承载高达80A连续电流，特别适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具有出色的导通性能和散热效率，是现代电子系统中不可或缺的高性能半导体元件。
- 商品型号
- IRF7455TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606228
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 228.2pF |
商品概述
IRF7319TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护，也可用于其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 6 A
- RDS(ON) < 22 mΩ（VGS = 10 V时）
- VDS = -30 V，ID = -5.5 A
- RDS(ON) < 45 mΩ（VGS = -10 V时）
应用领域
- 无线充电-升压驱动器-无刷电机
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