温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC097N06NS-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:65A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
- 商品型号
- BSC097N06NS-HXY
- 商品编号
- C20606225
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFH7914TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 70A
- RDS(ON) < 7mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- IRFR3709ZTRPBF-HXY
- IPD060N03LG-HXY
- IRF7455TRPBF-HXY
- IRF7319TRPBF-HXY
- SPD30P06P G-HXY
- IRFR5505TRPBF-HXY
- IRLML6346TRPBF-HXY
- IRLR3103TRPBF-HXY
- IRF7807ZTRPBF-HXY
- IRF7805ZTRPBF-HXY
- BSO110N03MS G-HXY
- IRF7413TRPBF-HXY
- IRF7343TRPBF-HXY
- IRLML2030TRPBF-HXY
- BSS806NEH6327-HXY
- BSS806NH6327-HXY
- IRF7313TRPBF-HXY
- IRF9956TRPBF-HXY
- BSZ130N03LS G-HXY
- IRLR2905PBF-HXY
- BSC042N03MS G-HXY