商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 潮湿敏感度等级3
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
应用领域
-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源
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