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IRLR2905ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理60V电压下的大电流应用。具备50A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻与高效散热性能，是现代电子设备实现高效率功率控制的理想选择。
- 商品型号
- IRLR2905ZPBF-HXY
- 商品编号
- C20606222
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3578克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 散热性能出色的封装
- 采用高密度单元设计，实现低 RDS(on)
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
应用领域
- 高功率逆变器系统-不间断电源-LCDM 电器
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