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IAUC120N06S5L015ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUC120N06S5L015ATMA1

N沟道 60V 235A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:OptiMOS功率MOSFET,适用于汽车应用。 N沟道-增强模式-逻辑电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。应用:一般汽车应用
商品型号
IAUC120N06S5L015ATMA1
商品编号
C20190978
商品封装
TDSON-8-43​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)235A
导通电阻(RDS(on))2.13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)167W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@94uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)114nC@10V
输入电容(Ciss)8.193nF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.509nF

商品特性

  • 电气特性
  • VDSS = 1200 V
  • IDN = 100 A / IDRM = 200 A
  • 低电感设计
  • 低开关损耗
  • 机械特性
  • PressFIT 接触技术
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 集成安装夹,安装牢固
  • 预涂热界面材料

应用领域

  • 高频开关应用-DC/DC 转换器-UPS 系统-电动汽车直流充电器

数据手册PDF