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CSD17578Q3A
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- CSD17578Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17578Q3A
- 商品编号
- C205986
- 商品封装
- VSONP-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
- 商品参数
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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