TPS2095D

TPS2090、TPS2091和TPS2092双路以及TPS2095、TPS2096和TPS2097四路电源分配开关适用于可能遇到重容性负载和短路的应用场景。TPS209x器件集成了80 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关，适用于需要在单个封装中集成多个电源开关的电源分配系统。每个开关由独立的逻辑使能输入控制。栅极驱动由内部电荷泵提供，该电荷泵旨在控制电源开关的上升时间和下降时间，以最大限度减少开关过程中的电流浪涌。电荷泵无需外部元件，允许在低至2.7 V的电源下工作。 当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，TPS209x通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平，并将过流（OCx）逻辑输出拉低。当持续的重过载和短路增加开关的功耗，导致结温升高时，热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦器件充分冷却，热关断后的恢复是自动的。内部电路确保在存在有效输入电压之前开关保持关闭。TPS209x器件设计为在0.5 A负载下进行电流限制。 电源开关是一个最大导通电阻为135 mΩ（VI(IN)=5V）的N沟道MOSFET。配置为高端开关时，电源开关在禁用时可防止电流从OUTx流向IN以及从IN流向OUTx。每个电源开关至少可提供250 mA的电流。 内部电荷泵为驱动电路供电，并提供必要的电压，使MOSFET的栅极电压高于源极电压。电荷泵可在低至2.7 V的输入电压下工作，且所需的电源电流非常小。 驱动器控制电源开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌并减少相关的电磁干扰（EMI），驱动器集成了控制输出电压上升时间和下降时间的电路。上升和下降时间通常在2 ms至4 ms范围内。 当ENx上为逻辑高电平或ENx上为逻辑低电平时，逻辑使能可禁用电源开关以及电荷泵、驱动器和其他电路的偏置，从而将电源电流降至小于10 μA。ENX上的逻辑低电平输入或ENx上的逻辑高电平输入可恢复驱动和控制电路的偏置并开启电源。使能输入与TTL和CMOS逻辑电平兼容。 当遇到过流或过温情况时，OCx开漏输出置位（低电平有效）。输出将保持置位状态，直到过流或过温情况消除。 检测FET监测提供给负载的电流。检测FET比传统电阻方法更有效地测量电流。当遇到过载或短路时，电流检测电路会向驱动器发送控制信号。驱动器进而降低栅极电压，使功率FET进入饱和区，从而将输出切换到恒流模式，并在负载电压变化时保持电流恒定。 TPS209x采用双热跳脱功能，允许电源分配开关完全独立运行。在过流或短路情况下，结温会升高。当管芯温度升至约140℃时，内部热检测电路会检查确定哪个电源开关处于过流状态，并关闭该开关，从而在不中断相邻电源开关运行的情况下隔离故障。热检测具有迟滞特性，器件冷却约20℃后，开关会重新开启。开关会持续循环关闭和开启，直到故障消除。当出现过温或过流情况时，（OCx）开漏输出置位（低电平有效）。 电压检测电路监测输入电压。当输入电压低于约2 V时，控制信号会关闭电源开关。

• 80 mΩ高端MOSFET开关
• 每通道250 mA连续电流
• 带过流逻辑输出的独立热保护和短路保护
• 工作范围：2.7 V至5.5 V
• 与TTL和CMOS逻辑电平兼容的使能输入
• 典型上升时间2.5 ms
• 欠压锁定
• 最大待机电源电流10 μA
• 双向开关
• 提供8引脚和16引脚SOIC封装
• 环境温度范围0℃至85℃，静电放电（ESD）保护