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MSP430FR5959IRHAT
具有 64KB FRAM、2KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
- 描述
- MSP430FR5959 具有 64KB FRAM、2KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- MSP430FR5959IRHAT
- 商品编号
- C206022
- 商品封装
- VQFN-40-EP(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.217克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | MSP430 CPUXV2 | |
| CPU最大主频 | 16MHz | |
| CPU位数 | 16 Bit | |
| 程序存储容量 | 64KB | |
| 程序存储器类型 | FRAM | |
| RAM容量 | 2KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | - | |
| I/O数量 | 33 | |
| ADC(位数) | 12bit | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
MSP430超低功耗FRAM平台将独特的嵌入式FRAM与整体超低功耗系统架构结合，可在较低能源预算下提升性能。FRAM技术结合了SRAM的速度、灵活性与耐久性，以及闪存的稳定性与可靠性。该产品系列包含多款集成FRAM、ULP 16位MSP430 CPU与智能外设的器件，ULP架构具有7种低功耗模式，针对能量受限应用优化，可延长电池使用寿命。
商品特性
- 采用16位RISC架构，时钟频率最高可达16MHz，电源电压范围为1.8V~3.6V
- 经优化的超低功耗模式：工作模式电流约100μA/MHz，带低功率低频内部时钟源的待机模式典型值为0.4μA，实时时钟模式典型值为0.25μA，关断模式典型值为0.02μA
- 集成超低功耗铁电RAM FRAM，非易失性存储器容量最高可达64KB，支持超低功耗写入，单字写入速度125ns，可在4ms内完成64KB写入；统一存储架构可在单个空间内同时存储程序、数据，支持10^15次写入周期，具备抗辐射、非磁性特性
- 集成智能数字外设：包含32位硬件乘法器、3通道内部DMA、带日历和报警功能的实时时钟、5个16位定时器（每个定时器最多带有7个捕捉/比较寄存器）、16位循环冗余校验器
- 集成高性能模拟模块：包含16通道模拟比较器，12位模数转换器带有内部基准与采样保持功能，最多支持16个外部输入通道
- 所有输入输出引脚支持电容触摸功能，无需外部组件；所有端口支持从低功耗模式的边沿可选唤醒，可配置上拉或下拉电阻，支持每位、每字节、每字访问
- 支持代码安全加密，可选128位或256位AES加密解密协处理器，提供随机数种子用于随机数生成算法
- 增强型串行通信：支持自动波特率侦测的通用异步收发器、IrDA编码解码、串行外设接口SPI、支持多从器件寻址的I2C，集成硬件UART和I2C引导加载程序
- 灵活时钟系统：包含10个可选出厂调整频率的定频数控振荡器、低功率低频内部时钟源、32kHz晶振、高频晶振
- 不同型号器件模块配置有区别：低频晶体振荡器及对应引脚仅在部分型号提供，RTC_B仅可搭配该类器件中的低频晶体振荡器工作；高频晶体振荡器及对应引脚仅在部分型号提供，仅带高频晶体振荡器的对应型号不包含RTC_B模块
应用领域
- 计量
- 能量采集传感器节点
- 可穿戴电子产品
- 传感器管理
- 数据日志