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TPS1101D

1个P沟道耐压:15V 电流:2.3A

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描述: TPS1101 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS1101D
商品编号: C206050
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.173克(g)

商品参数

商品概述

TPS1101 是一款单通道、低导通电阻 rDS(on)、P 沟道增强型 MOSFET。该器件针对电池供电系统中的 3V 或 5V 电源分配进行了优化。其最大栅源开启电压 VGS(th) 为 -1.5V，漏源截止电流 IDSS 仅为 0.5μA，是低压便携式电池管理系统中理想的高端开关，此类系统首要考虑的是最大化电池使用寿命。TPS1101 的低导通电阻 rDS(on) 和出色的交流特性（典型上升时间为 5.5ns）使其成为低压开关应用的合理选择，如脉冲宽度调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的电源开关。

商品特性

低导通电阻 rDS(on)……在 VGS = -10V 时典型值为 0.09Ω
3V 兼容
无需外部 VCC
TTL 和 CMOS 兼容输入
最大栅源开启电压 VGS(th) = -1.5V
采用超薄 TSSOP 封装（PW）
静电放电（ESD）保护高达 2kV（符合 MIL - STD - 883C 标准 3015 方法）

应用领域

笔记本电脑
个人数字助理（PDA）
移动电话
PCMCIA 卡

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	2.3A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	791mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	11.25nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+150℃
	类型	P沟道