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CSD87384MT
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
- 描述
- CSD87384M 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87384MT
- 商品编号
- C205957
- 商品封装
- PTAB-5(3.5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.44nF |
商品概述
CSD87384M电源块II是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在5.0 mm × 3.5 mm的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。针对5V栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一5V栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。
商品特性
- 半桥电源块
- 电流25A时，系统效率达到90.5%
- 高达30A的工作电流
- 高密度 - 5mm × 3.5mm接合栅格阵列 (LGA) 封装
- 双侧冷却能力
- 超薄 - 最大厚度为0.48 mm
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 无铅
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器