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NDD04N50ZT4G
1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDD04N50ZT4G
- 商品编号
- C179606
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 带ESD二极管保护的栅极
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准