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NTD20P06LT4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:15.5A
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- 描述
- 功率 MOSFET -60 V，-15.5 A，单 P 沟道 DPAK
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD20P06LT4G
- 商品编号
- C179611
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.457克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@5V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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