温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD3055-094T4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD3055-094T4G
- 商品编号
- C179612
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 更低的RDS(ON)
- 更低的 VDS(on)
- 更低且更稳定的 VSD
- 更低的二极管反向恢复时间
- 更低的反向恢复存储电荷
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的 NVD 前缀;符合 AEC - Q101 标准并具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥接电路