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NTD3055-094T4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD3055-094T4G
- 商品编号
- C179612
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 更低的RDS(ON)
- 更低的 VDS(on)
- 更低且更稳定的 VSD
- 更低的二极管反向恢复时间
- 更低的反向恢复存储电荷
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的 NVD 前缀;符合 AEC - Q101 标准并具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥接电路
- NTD6414ANT4G
- NTD6415ANLT4G
- NTD6416ANT4G
- NTF6P02T3G
- NTMD3P03R2G
- NTMFS4C020NT1G
- NTMFS4C022NT1G
- NTMFS4C03NT1G
- NTMFS5C670NLT1G
- NTMS4816NR2G
- NTNS3193NZT5G
- ABMM-6.000MHZ-B2-T
- ABM10-16.000MHZ-E20-T
- ABS05-32.768kHz-T
- ABM7-24.000MHZ-D2Y-T
- ABS07-32.768KHZ-9-T
- ABS25-32.768KHZ-T
- ABS09-32.768KHZ-T
- ABM8-16.000MHZ-B2-T
- ABM2-8.000MHZ-D4Y-T
- ABM8-25.000MHZ-D2Y-T