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NTF6P02T3G
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- 功率 MOSFET，-20V，-10A，50mΩ，单 P 沟道，SOT-223，逻辑电平
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTF6P02T3G
- 商品编号
- C179617
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 逻辑电平栅极驱动
- 二极管具备高速、软恢复特性
- 规定雪崩能量
- NVF前缀适用于汽车及其他有特定产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力*
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备和电池供电产品的电源管理,如:移动电话、无绳电话和PCMCIA卡