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NTNS3193NZT5G
N沟道 耐压:20V 电流:224mA
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- 描述
- 小信号 MOSFET，20 V，224 mA，单 N 沟道，0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTNS3193NZT5G
- 商品编号
- C179628
- 商品封装
- X-LLGA-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 224mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 单N沟道MOSFET
- 超小超薄封装(0.62 x 0.62 x 0.4 mm)
- 0.62 x 0.62 mm封装的低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 栅极电压额定值为1.5 V
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 小信号负载开关
- 模拟开关
- 高速接口
- 专为超便携产品的电源管理优化