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FDS6670AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:13.5A
- 描述
- N沟 30V 13.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6670AS
- 商品编号
- C179750
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
FDS6670AS旨在替代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDS6670AS采用仙童半导体的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- 13.5 A、30 V
- VGS = 10 V时，RDS(ON)最大值 = 9.0 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON)最大值 = 11.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值27nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器-笔记本电脑低端应用