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SI7121ADN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- P沟道,-30V,-18A,0.015Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7121ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C179754
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑和移动计算设备
- 适配器开关/负载开关
- 电池管理
- 电源管理