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SI1401EDH-T1-GE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:4A
- 描述
- 新的带铜引脚框架的单通道6引脚SC-70封装与现有的带Alloy 42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更好的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。采用此封装的器件有多种导通电阻值，有n沟道和p沟道版本。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1401EDH-T1-GE3
- 商品编号
- C183003
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道 6 引脚 SC-70 封装与现有的采用 Alloy 42 引脚框架的 3 引脚和 6 引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更出色的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件有多种导通电阻值可供选择，包括 N 沟道和 P 沟道版本。
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义，无卤
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 典型 ESD 性能为 1500 V
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关-手机-数码单反相机-便携式游戏机-MP3-全球定位系统