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SI2333DDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:6A
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- 描述
- P沟道,Vds=-12V,Id=-6A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2333DDS-T1-GE3
- 商品编号
- C183004
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 智能手机和平板电脑-负载开关-电池开关
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