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SI2316DS-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.9A
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- 描述
- N沟道,30V,2.9A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2316DS-T1-E3
- 商品编号
- C183028
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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