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NTMD3P03R2G
2个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：双SOIC-8封装中的高效组件。 具有低导通电阻（RDS(on)）的高密度功率MOSFET。 微型SOIC-8表面贴装封装，节省电路板空间。 二极管具有高速软恢复特性。 规定了高温下的漏电流（IDSS）。 规定了雪崩能量。应用：DC-DC转换器。 低电压电机控制
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMD3P03R2G
- 商品编号
- C179620
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品特性
- 双SOIC-8封装的高效组件
- 具有低RDS(on)的高密度功率MOSFET
- 微型SOIC-8表面贴装封装，节省电路板空间
- 二极管具有高速软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供SOIC-8封装的安装信息
- 通过AEC-Q101认证 - NVMD3P03R2G
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 低压电机控制
- 便携式和电池供电产品的电源管理，如：计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话