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NTMS4816NR2G
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：磁盘驱动器。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4816NR2G
- 商品编号
- C179627
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,7.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 磁盘驱动器-直流-直流转换器-打印机