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NTMFS4C020NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:370A
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- 描述
- 功率 MOSFET，30V，303 A，0.9mΩ，单 N 沟道，SO?8FL
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C020NT1G
- 商品编号
- C179622
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 161W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.61nF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 针对4.5V栅极驱动优化
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准