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NTMFS4C03NT1G
N沟道 耐压:30V 电流:136A
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- 描述
- 功率 MOSFET，30 V，136A，2.1 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C03NT1G
- 商品编号
- C179624
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.071nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.673nF |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准