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NTD20N06T4G
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD20N06T4G
- 商品编号
- C179610
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 更低的导通电阻RDS(on)
- 更低的导通电压VDS(on)
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更低且更稳定的体二极管正向压降VSD
- 更低的二极管反向恢复时间
- 更低的反向恢复存储电荷
- 适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用的NTDV前缀;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥式电路