温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FCP190N60E
利用电荷平衡技术的高压超级结MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷、低有效输出电容等特性，部分型号集成栅极电阻，有助于解决EMI问题
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCP190N60E
- 商品编号
- C179567
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.396nF |
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型值 RDS(on) = 160 mΩ
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 63 nC)
- 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 178 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 集成栅极电阻
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD / LED / PDP电视照明
- 太阳能逆变器
- AC - DC电源