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MMBF0201NLT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）可确保功率损耗降至最低并节省能源，使这些器件非常适合用于小型电源管理电路。典型应用包括直流 - 直流转换器，以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBF0201NLT1G
- 商品编号
- C152547
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
交货周期
订货75-77个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 33000 个)个
起订量：33000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单