温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS6682
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟 30V 14A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6682
- 商品编号
- C153040
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 582pF |
商品概述
NCE60H15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 14 A, 30 V。 RDS(ON) = 7.5 m Ω @ VGS = 10 V
- R D S (O N) = 9. 0 m Ω @ V G S = 4. 5 V
- 低栅极电荷(典型值22 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器