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FDT458P
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A
- 描述
- 该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 比其他具有可比R
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT458P
- 商品编号
- C154507
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 205pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器以及电池充电器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 200 mΩ
- 3.4 A，-30 V。在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 130 mΩ
- 快速开关速度
- 低栅极电荷（典型值为2.5 nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池充电器
- 电机驱动器