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FDV305N
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.9A
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- 描述
- 此 20V N 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDV305N
- 商品编号
- C154511
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V,0.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 109pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
优惠活动
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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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