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FDN306P
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.6A
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- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN306P
- 商品编号
- C154510
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@1.8V,1.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.138nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 454pF |
商品特性
- 30V、7.6A，栅源电压=10V时，导通状态下的漏源电阻=22 mΩ
- 栅源电压=4.5V时，导通状态下的漏源电阻=33 mΩ
- -30V、-5.9A，栅源电压=-10V时，导通状态下的漏源电阻=36 mΩ
- 栅源电压=-4.5V时，导通状态下的漏源电阻=52 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的导通状态下的漏源电阻
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装