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FDN306P
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.6A
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- 描述
- 此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN306P
- 商品编号
- C154510
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.138nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 454pF |
商品特性
- 2.6 A,-12 V。RDS(ON) = 40 m Ω(VGS = -4.5 V时)
- RDS(ON) = 50 m Ω(VGS = -2.5 V时)
- RDS(ON) = 80 m Ω(VGS = -1.8 V时)
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT -3封装在相同占位面积下,提供低R\textDS(ON),且功率处理能力比SOT23高30%
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护