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UMC3NT1G
双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管
- 描述
- 双 PNP 双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。双 PNP 双极数字晶体管将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。在 UMC2NT1 系列中，两个器件都采用 SOT-353 封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UMC3NT1G
- 商品编号
- C153064
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35@5.0mA,10V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |