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UMC3NT1G
双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管
- 描述
- 双 PNP 双极数字晶体管包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。这些数字晶体管设计用于替代单个器件及其外部电阻器偏置网络。双 PNP 双极数字晶体管将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。在 UMC2NT1 系列中，两个器件都采用 SOT-353 封装，非常适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- UMC3NT1G
- 商品编号
- C153064
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置(基集电极结) | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 35 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个基极串联电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。在UMC2NT1G系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT-353封装中，这种封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 提供8mm、7英寸/3000个的卷带包装
- 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求应用的NSV前缀产品
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准