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NTMFS5C646NLT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:19A
- 描述
- NTMFS5C646NL 是一款单 N 沟道、逻辑电平功率 MOSFET，具有较小占位，适用于紧凑和高效能设计的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C646NLT1G
- 商品编号
- C153736
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 93A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@4.5V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.164nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准