SVD2955T4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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描述
可承受雪崩和换相模式下高能量的汽车用功率 MOSFET。 适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能,适用于汽车应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
SVD2955T4G商品编号
C153740商品封装
TO-252-2(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,6A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 55W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 750pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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