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NCP5104DR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP5104DR2G

高压半桥驱动器

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描述
NCP5104是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术,以确保对高端功率开关进行适当驱动。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP5104DR2G
商品编号
C153763
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.207克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)500mA
拉电流(IOH)250mA
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)85ns
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpLH620ns
传播延迟 tpHL100ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术,以确保正确驱动高端功率开关。

商品特性

  • 高压范围:高达600 V
  • dV/dt抗扰度 ±50 V/nsec
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 高低驱动输出
  • 输出源/灌电流能力为250 mA / 500 mA
  • 与3.3 V和5 V输入逻辑兼容
  • 输入引脚最高可达VCC摆幅
  • 为信号传播将允许的负桥引脚电压摆幅扩展至 -10 V
  • 两个通道之间的传播延迟匹配
  • 1个带内部固定死区时间(520 ns)的输入
  • 两个通道均具备欠VCC锁定(UVLO)功能
  • 引脚与行业标准兼容
  • 带有NCV前缀,适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

应用领域

  • 半桥功率转换器

数据手册PDF