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FDS3512
1个N沟道 耐压:80V
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- 描述
- 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比R
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3512
- 商品编号
- C153039
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 634pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品特性
- 4.0 A、80 V,RDS(ON) = 70 m Ω(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) = 80 m Ω(VGS = 6 V 时)
- 低栅极电荷(典型值为13 nC)
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力