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NDF04N60ZH
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.8A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 ESD二极管保护栅极。 100%雪崩测试。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDF04N60ZH
- 商品编号
- C152527
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
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