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NTB45N06T4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- N沟道,60V,45A,26mΩ@10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB45N06T4G
- 商品编号
- C145523
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex公司成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特性，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。 Supertex公司的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 更高的电流额定值
- 更低的导通状态漏源极电阻(RDS(on))
- 更低的导通状态漏源极电压(VDS(on))
- 更低的电容
- 更低的总栅极电荷
- 更严格的电压应力差(VSD)规格
- 更短的二极管反向恢复时间
- 更低的反向恢复存储电荷
- 符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力 - NTBV45N06
- 这些器件无铅且符合有害物质限制指令(RoHS)
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥式电路