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NTD18N06LT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
- 描述
- 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD18N06LT4G
- 商品编号
- C150235
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@5V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
交货周期
订货109-111个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单