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NTS4409NT1G
1个N沟道 耐压:25V 电流:0.7A
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- 描述
- 小信号 MOSFET，25V，750mA，单 N 沟道，ESD 防护，SC?70/SOT?323
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTS4409NT1G
- 商品编号
- C152289
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
NCE0157A2采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进平面技术,实现快速开关、低 RDS(on),提高效率,延长电池寿命
- 符合 AEC-Q101 标准,具备生产件批准程序 (PPAP) 能力 - NVS4409N
- 这些器件无铅,符合 RoHS 标准
应用领域
-升压和降压转换器-负载开关-电池保护