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NTR4003NT3G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTR4003NT3G

1个N沟道 耐压:30V 电流:0.56A

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描述
这是一个 30 V N 沟道功率 MOSFET。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTR4003NT3G
商品编号
C146737
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)560mA
导通电阻(RDS(on))2Ω@2.5V,10mA
耗散功率(Pd)830mW
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.15nC@5V
输入电容(Ciss)21pF
反向传输电容(Crss)8.1pF
工作温度-
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 低栅极电压阈值(VGS(TH)),便于驱动电路设计
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 栅极具备ESD保护
  • SOT-23封装提供出色的热性能
  • 最低击穿电压额定值为30V
  • 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的NVR前缀;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS指令

应用领域

  • 笔记本电脑:
    • 电平转换器
    • 逻辑开关
    • 低端负载开关
  • 便携式应用

数据手册PDF