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NVTR4502PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.13A
- 描述
- 汽车用功率 MOSFET。 -30V，-1.95A，200mΩ，单 P 沟道，SOT-23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTR4502PT1G
- 商品编号
- C146792
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 领先的平面技术,实现低栅极电荷/快速开关
- 低导通电阻RDS(ON),降低传导损耗
- SOT - 23表面贴装,占用空间小(3 x 3 mm)
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 直流到直流转换
- 便携式设备和计算机的负载/电源开关
- 主板、笔记本电脑、摄像机、数码相机等
- 电池充电电路