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NTB5605PT4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:18.5A
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- 描述
- P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB5605PT4G
- 商品编号
- C150241
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@5V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 211pF |
商品特性
- 专为低导通电阻RDS(on)设计
- 可承受雪崩和换向模式下的高能量
- 通过AEC Q101认证 - NTBV5605
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 转换器
- 电源管理